先进陶瓷具备优异的绝缘性、耐高温、耐腐蚀、耐磨损等特性,是高端制造的重要功能材料;金属则拥有高机械强度、良好导电性、延展性与易加工性。在半导体真空设备、航空航天、高端医疗、激光光电、特种能源装备等领域,单一材料往往无法兼顾综合性能,因此陶瓷-金属异质可靠封接成为关键工艺。

图1.陶瓷金属封接产品via厦门英诺华新材料官网
但陶瓷属于脆性离子键或共价键材料,金属则属于金属键材料,二者在热膨胀系数、弹性模量、润湿性以及化学特性等方面存在显著差异,常规熔焊或普通粘接难以实现高强度、高气密和长寿命的稳定连接。本文将系统解析行业主流的五种陶瓷与金属封接技术,介绍其工艺原理、优势特点及适用场景,为工程选型提供参考。
一、活性钎焊(Active Brazing)
活性钎焊是当前陶瓷-金属封接应用最广泛、通用性最强的主流工艺之一,属于一步式真空钎焊技术。
其工艺核心是采用含钛(Ti)、锆(Zr)等活性元素的专用钎料,在高真空或高纯惰性保护气氛下进行高温钎焊。活性元素能够与陶瓷表面发生化学反应,形成稳定的界面反应层,从而显著提高钎料对陶瓷的润湿能力,实现陶瓷与金属之间的冶金结合,而无需预先进行陶瓷金属化处理。
核心优势
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工艺流程相对简洁,无需陶瓷预金属化及镀镍等前处理工序
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一次升温即可完成封接,生产效率较高
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可应用于氧化铝、氮化铝、氮化硅、部分碳化硅及石英等多种先进陶瓷材料
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适用于异形结构、薄壁件及复杂精密组件
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接头气密性良好,结合强度稳定

图2.真空电极馈通-陶瓷钎焊via慧朴真空连接器
工艺局限性
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对真空设备及气氛控制要求较高
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生产成本高于机械连接和胶粘连接
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高温钎焊后可能产生残余热应力,对于高应力循环工况需进行合理的结构设计
典型应用:真空馈通件(Feedthrough)、激光器件气密封装、陶瓷电极组件、精密传感器封装、半导体陶瓷金属组件等。
二、Mo-Mn金属化钎焊
Mo-Mn钼锰金属化钎焊是高可靠性、高气密性陶瓷封接领域应用最成熟的工艺之一,长期应用于真空电子、航空航天及军工装备领域,尤其适用于氧化铝陶瓷的高可靠封接。
该工艺通常包括三个步骤:首先在陶瓷表面涂覆钼锰浆料并高温烧结形成金属化层;随后进行镀镍处理以提高润湿性能;最后采用银铜系钎料完成陶瓷与金属之间的钎焊连接。
核心优势
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气密性能优异,可满足超高真空应用要求
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漏率通常可达到10⁻⁹ Pa·m³/s级别,经过严格工艺控制可获得更高气密性能
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接头耐高温、抗老化性能良好
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力学强度高,适用于长期高低温循环环境
工艺局限性
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工艺流程较长,生产周期较久
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制造成本相对较高
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主要适用于氧化物陶瓷,对部分非氧化物陶瓷适应性有限
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复杂微型结构加工难度较大
典型应用:高端真空电子器件、X射线管、高压功率器件气密封装、航空航天电子系统及长寿命真空组件等。
三、扩散焊(Diffusion Bonding)
扩散焊属于固相连接技术,在高温、高压及保温条件下,依靠界面原子的相互扩散和重排实现结合。
与传统钎焊不同,扩散焊通常无需使用传统钎料,主要依靠材料界面的原子扩散形成牢固连接,因此能够获得高纯净度、高一致性的连接界面。
核心优势
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接头纯净度高,杂质夹杂少
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接头整体强度高、一致性好
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具有优异的耐高温、抗蠕变和抗热冲击能力
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界面结合均匀,适用于高可靠性结构件
工艺局限性
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设备投资成本较高
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温度、压力及保温时间控制要求严格
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生产效率较低,不适合低成本大批量生产
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对工件表面平整度和加工精度要求较高
典型应用:航空发动机高温结构件、高端特种传感器、航天精密承力组件及极端工况高纯构件等。
四、机械连接
机械连接是一种通过结构锁紧实现陶瓷与金属装配的方式,无需高温处理和化学反应,具有良好的可拆卸性。
常见形式包括:
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螺纹连接
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法兰压紧
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卡箍固定
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弹性压装
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热套过盈配合
核心优势
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常温工艺,无热变形风险
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便于拆装与维护
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工艺简单,成本较低
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适用于通用结构件的大批量生产
明显局限性
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气密性能有限,不适用于高真空环境
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在长期振动环境下需防止连接松动,对结构设计和预紧力控制要求较高
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陶瓷开孔或压装过程中可能产生应力集中
典型应用:通用仪器设备结构件、常压低负载组件、可更换工装夹具及非真空设备配件等。
五、胶粘连接
胶粘连接通过环氧树脂、有机硅胶、结构胶或无机胶等粘接材料实现陶瓷与金属的连接,是成本较低且工艺简单的常温连接方案。
核心优势
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工艺简单,操作便捷
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无需复杂设备
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适用于大尺寸及异形构件连接
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胶层可在一定程度上缓解热膨胀失配产生的应力
明显局限性
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耐温性能受胶种影响较大,多数有机胶长期使用温度在100~300℃范围内
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气密性、力学强度及长期可靠性低于钎焊工艺
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在高温、潮湿、真空及长期循环环境中性能会逐渐衰减
典型应用:光学镜头组件、普通仪器外壳、低负载静态结构件以及常温常压装配场景等。
陶瓷金属封接工艺选型对照表(行业通用参考)
星级越高,对应性能越优;成本星级越高,制造成本越高。

工艺选型核心原则
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高真空、高气密、长寿命电子封装场景,优先考虑Mo-Mn金属化钎焊;对于兼顾性能与成本的通用精密封装,活性钎焊是常见选择。
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高温、高纯度、高强度核心承力结构件,可优先考虑扩散焊工艺。
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需要频繁拆装维护、预算有限且工作于常压环境的结构件,可采用机械连接方案。
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常温低负载、大尺寸非精密构件以及成本敏感场景,可采用胶粘连接方案。
结语
随着半导体先进封装、航空航天、新能源、激光制造以及高端医疗装备的发展,陶瓷与金属异质材料连接对气密性、可靠性和寿命提出了更高要求。不同封接工艺各有特点,并不存在绝对优劣,关键在于根据应用场景选择合适的技术路线。
此外,在电子封装领域还存在HTCC、LTCC等共烧技术,通过陶瓷与金属导体同步烧结实现一体化结构,但其应用场景与传统陶瓷-金属封接工艺有所不同,本文不作展开讨论。
合理选择封接工艺,不仅能够解决异质材料连接过程中的应力、漏气、脱层及断裂等问题,还能够显著提升产品的长期稳定性与服役寿命。
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