氮化硅

缺陷对氮化硅导热性能影响的模拟研究

摘要:通过反应或热压烧结制备氮化硅器件过程中,产生的晶格空位和杂质氧等缺陷会严重影响氮化硅材料的导热性能。为了探究空位和氧杂质对氮化硅材料导热性能的影响规律,利用分子动力学模拟方法设计了多种不同缺陷状态的氮化硅模型,分析了空位/氧杂质的比例、分布状态、晶格位置以及温度对氮化硅材料导热性能的影响。研究结果表明:随着空位/氧杂质比例的增加以及温度的升高,氮化硅体系的热导率都呈明显的下降趋势;当空位/氧…

1970-01-01

烧结助剂对氮化硅陶瓷热导率和力学性能的影响

摘 要:以氮化硅(α 相≥95%,平均粒径0.5μm)为原料,添加 MgO–Y2O3为复合烧结助剂,采用气压烧结技术制备了 β 相高导热氮化硅陶瓷。研究和讨论了烧结助剂含量和比例对氮化硅陶瓷致密化过程、热导率、力学性能和显微结构的影响。结果表明:当烧结助剂添加量为 5%MgO+4%Y2O3时,使用气压烧结在1890 ℃烧结2h,试样的热导率可达到 85.96 W·m–1K–1,抗弯强度达到873M…

1970-01-01