SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷的性能研究 摘要：以单晶SiC纳米线作为增强体，碳化硅一碳为陶瓷基体，在1550℃下，采用反应烧结制备碳化硅基陶瓷复合材料(SiCnf／SiC)。结合x射线衍射、万能试验机和扫描电镜等检测和分析，研究SiC纳米线… 大咖转载 #SiC纳米线 #反应烧结 #碳化硅复合陶瓷
碳含量对反应熔渗法制备SiC晶须增强碳化硅 陶瓷性能的影响研究 摘要：以SiC晶须作为增强体，通过酚醛树脂高温碳化裂解获得碳包覆的SiC晶须，与纳米碳化硅粉体、炭黑混合均匀形成复合陶瓷乙醇浆料。经过干燥、造粒、成型和排胶后获得SiCw-C—SiC素坯，利用反应熔渗… 大咖转载 #SiC晶须 #反应熔渗 #碳包覆 #碳化硅复合陶瓷 #碳含量
