反应烧结

SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷的性能研究

摘要：以单晶SiC纳米线作为增强体，碳化硅一碳为陶瓷基体，在1550℃下，采用反应烧结制备碳化硅基陶瓷复合材料(SiCnf／SiC)。结合x射线衍射、万能试验机和扫描电镜等检测和分析，研究SiC纳米线…

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