缺陷对氮化硅导热性能影响的模拟研究
摘要：通过反应或热压烧结制备氮化硅器件过程中,产生的晶格空位和杂质氧等缺陷会严重影响氮化硅材料的导热性能。为了探究空位和氧杂质对氮化硅材料导热性能的影响规律,利用分子动力学模拟方法设计了多种不同缺陷状态的氮化硅模型,分析了空位/氧杂质的比例、分布状态、晶格位置以及温度对氮化硅材料导热性能的影响。研究结果表明:随着空位/氧杂质比例的增加以及温度的升高,氮化硅体系的热导率都呈明显的下降趋势;当空位/氧…
氮化硅
无压烧结氮化硅陶瓷的物理性能研究
摘要： 以α-Si3N4粉末为原料,Y2O3和MgAl2O4体系为烧结助剂,采用无压烧结方式,研究了烧结温度、保温时间、烧结助剂含量以及各组分配比对氮化硅致密化及力学性能的影响。结果表明:以Y2O3和…
烧结温度对氮化硅陶瓷球显微结构 和力学性能的影响
摘要:以 α-Si3N4 粉为原料,纳米级 Y2O3 和 Al2O3 为烧结助剂,采用气压烧结工艺制备氮化硅陶瓷球,研究了烧结温度对陶瓷球显微结构及力学性能的影响。 结果表明,随着烧结温度的升高,陶瓷…
Si3N4 粉体的表面改性及其对立体光刻成型的影响
摘要:传统的陶瓷加工技术成本高、周期长、缺陷多,难以生产高性能陶瓷,立体光刻技术是制造形状复杂陶瓷零件的一种高效手段。 纯 Si3N4 粉体的折射率(n = 2. 1)与树脂(n = 1. 49)的折…
烧结助剂对氮化硅陶瓷热导率和力学性能的影响
摘 要：以氮化硅(α 相≥95%，平均粒径0.5μm)为原料，添加 MgO–Y2O3为复合烧结助剂，采用气压烧结技术制备了 β 相高导热氮化硅陶瓷。研究和讨论了烧结助剂含量和比例对氮化硅陶瓷致密化过程、热导率、力学性能和显微结构的影响。结果表明：当烧结助剂添加量为 5%MgO+4%Y2O3时，使用气压烧结在1890 ℃烧结2h，试样的热导率可达到 85.96 W·m–1K–1，抗弯强度达到873M…
