SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷的性能研究
摘要：以单晶SiC纳米线作为增强体，碳化硅一碳为陶瓷基体，在1550℃下，采用反应烧结制备碳化硅基陶瓷复合材料(SiCnf／SiC)。结合x射线衍射、万能试验机和扫描电镜等检测和分析，研究SiC纳米线对复合材料的微结构和力学性能的影响。研究表明：与未加入SiC纳米线的反应烧结碳化硅陶瓷相比，添加SiC纳米线的复合陶瓷的抗弯强度和断裂韧性都得到显著的提高，抗弯强度提高了52％，达到320 MPa(S…
摘要：以单晶SiC纳米线作为增强体，碳化硅一碳为陶瓷基体，在1550℃下，采用反应烧结制备碳化硅基陶瓷复合材料(SiCnf／SiC)。结合x射线衍射、万能试验机和扫描电镜等检测和分析，研究SiC纳米线对复合材料的微结构和力学性能的影响。研究表明：与未加入SiC纳米线的反应烧结碳化硅陶瓷相比，添加SiC纳米线的复合陶瓷的抗弯强度和断裂韧性都得到显著的提高，抗弯强度提高了52％，达到320 MPa(S…
