摘要：导电陶瓷的物理性能由连续的导电基体所决定, 调控困难. 在这项研究中, 通过在陶瓷基体中引入hBN薄片, 成功实现了导电陶瓷力学和物理性能各向异性的调控. 以包含TiN、 Al、硼和hBN的混合粉末为原料, 通过放电等离子烧结制备了两种hBN含量不同的导电TiB2-AlNhBN陶瓷. 在垂直于烧结压力的方向上, TiB2-AlN-60 vol% hBN陶瓷在室温下的弯曲强度、 断裂韧性、 电导率和热导率分别为151 ± 6.34 MPa、 2.62 ± 0.31 MPa m1/2、 5.3 × 105 S m−1和77.87 W m−1 K−1. 而在平行于烧结压力的方向上, 室温电导率和热导率分别降低到 2.0 × 105 S m−1和32.25 W m−1 K−1. 这些差异是通过在导电基体中加入少量额外排列的hBN薄片而产生的, 为材料选择和设计提供了新的机会.
此文为纯英文版，阅读全文请切换英文版浏览
声明：本文由 CERADIR 先进陶瓷在线平台的入驻企业/个人提供或自网络获取，文章内容仅代表作者本人，不代表本网站及 CERADIR 立场，本站不对文章内容真实性、准确性等负责，尤其不对文中产品有关功能性、效果等提供担保。本站提醒读者，文章仅供学习参考，不构成任何投资及应用建议。如需转载，请联系原作者。如涉及作品内容、版权和其它问题，请与我们联系，我们将在第一时间处理！本站拥有对此声明的最终解释权。
