氮化硅流延基板

腐蚀模板法获取高长径比β-Si3N4晶种的工艺参数研究

摘要:采用腐蚀模板法对氮化硅陶瓷薄板进行熔融碱腐蚀处理获取 β-Si3N4晶种。 研究了腐蚀介质、时间对晶粒形貌及分散性的影响。 优化了超声、磁力搅拌、研磨三种晶粒剥离的方法,确认磁力搅拌的方法是最佳的剥离工艺。通过 X 射线衍射和扫描电子显微镜对产物进行了微观形貌观察及物相分析 ,结果显示获得的晶种为高纯度 β-Si3N4,粒径范围为2 ~10 μm,最高长径比可达10以上。关键词:腐蚀模板法;…

1970-01-01