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沉积温度和时间对多孔SiC薄膜的光致发光性能的影响

摘要:为了增强碳化硅(SiC)的光致发光性能,设计了三层结构的多孔SiC薄膜,衬底是单晶硅,中间层是双通阳极氧化铝(AAO)模板,顶层是SiC薄膜。采用磁控溅射工艺在AAO模板上沉积SiC薄膜,沉积温度为100~500 ℃,溅射时间为1~30 min。研究了沉积温度和沉积时间对SiC的光致发光性能的影响。结果表明:SiC薄膜为非晶态,SiC主要沉积在AAO模板的上层骨架结构上;与未经过溅射的样品相…

1970-01-01

Mo掺杂调控钛酸铋钠铁电陶瓷带隙的实验与第一性原理研究

摘要: 为改善钛酸铋钠基无铅陶瓷的铁电光伏特性,通过传统固相法制备了B位Mo掺杂的Na0.5Bi0.5(Ti1-xMox)O3(BNT-Mox,x=0~0.02)无铅铁电陶瓷。通过XRD、拉曼光谱、吸收光谱等测试方法,结合基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Mo掺杂对BNT陶瓷体系带隙的影响规律及机理。结果表明:随着Mo掺杂量的增加,光学带隙值先减小后增大,当x=1.0%时带隙达到最小值2.3…

1970-01-01

用于超高温晶体生长炉的钇锆固溶体陶瓷

摘要: 自主研制出了可用于超高温晶体生长炉温场的高纯钇锆固溶体陶瓷制品,在真空、保护气氛、空气环境使用温度达到2 650℃,反复升降温周期使用寿命达到3年,较金属温场提升6倍寿命.以使用该陶瓷制备的温场生长120 kg级晶体为例,其晶体生长周期较金属钨钼温场缩短约25%,节省能耗40%以上,同时还可避免金属材料高温时出现的过收缩、破裂等问题,提高了安全性和生产效率,并且实现了材料的绿色环保和循环利…

1970-01-01

热处理气氛对SiBON陶瓷材料析晶行为的影响

摘要: 熔融石英陶瓷在使用过程中的析晶现象一直备受关注。采用XRD、SEM、FT-IR、XPS分析手段研究了SiBON陶瓷物相结构、表面形貌、化学键存在形式对其析晶行为的影响。结果表明,SiBON陶瓷在氮气保护条件下经1 550 ℃烧结后仍可有效抑制方石英的析出,同一温度在真空气氛下烧结制成的样品抑制析晶效果不佳。SiBON陶瓷的物相组成为非晶SiBON、Si3N4、BN,抑制析晶机理为B、N元素…

1970-01-01

高品质超低膨胀透明微晶玻璃实现批量化生产

摘要: 锂铝硅系超低膨胀微晶玻璃是一种性能优良的低膨胀光学材料,热膨胀系数低、透明性好。国产高品质超低膨胀微晶玻璃一直受到技术制约,难以批量化生产。本研究采用熔融法结合搅拌工艺以及适宜的热处理制度,成功批量化生产出热膨胀系数接近于零的高品质超低膨胀透明微晶玻璃产品,产品外观完整,内部基本无气泡、条纹等缺陷。对优级产品进行热膨胀系数、应力双折射、抗弯强度测试,结果表明,优级产品热膨胀系数为1.6×1…

1970-01-01