立体光固化 3D 打印成型碳化硅陶瓷的烧结特性
摘要:立体光固化(SLA)作为碳化硅陶瓷材料 3D 打印的主流方法之一,具有广泛的应用前景。 本文针对立体光固化成型的碳化硅素坯,进行了脱脂与反应熔渗试验,通过烧结过程中密度、强度、收缩率、微观结构的…
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腐蚀模板法获取高长径比β-Si3N4晶种的工艺参数研究
摘要：采用腐蚀模板法对氮化硅陶瓷薄板进行熔融碱腐蚀处理获取 β-Si3N4晶种。 研究了腐蚀介质、时间对晶粒形貌及分散性的影响。 优化了超声、磁力搅拌、研磨三种晶粒剥离的方法，确认磁力搅拌的方法是最佳的剥离工艺。通过 X 射线衍射和扫描电子显微镜对产物进行了微观形貌观察及物相分析 ，结果显示获得的晶种为高纯度 β-Si3N4，粒径范围为2 ~10 μm，最高长径比可达10以上。关键词：腐蚀模板法；…
氮化硅陶瓷覆铜基板制备及可靠性评估
摘要：氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁、电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一，目前只有日本厂商具备量产能力，国内进口困难，阻碍了相关产业的发展。采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基…
烧结温度对氮化硅陶瓷球显微结构 和力学性能的影响
摘要:以 α-Si3N4 粉为原料,纳米级 Y2O3 和 Al2O3 为烧结助剂,采用气压烧结工艺制备氮化硅陶瓷球,研究了烧结温度对陶瓷球显微结构及力学性能的影响。 结果表明,随着烧结温度的升高,陶瓷…
Si3N4 粉体的表面改性及其对立体光刻成型的影响
摘要:传统的陶瓷加工技术成本高、周期长、缺陷多,难以生产高性能陶瓷,立体光刻技术是制造形状复杂陶瓷零件的一种高效手段。 纯 Si3N4 粉体的折射率(n = 2. 1)与树脂(n = 1. 49)的折…
氮化硅薄膜生长随时间演化过程及其特性研究
摘要:氮化硅 SiNx 薄膜凭借介电常数高和稳定性好的特点而被广泛应用于光电器件中,但薄膜的厚度对器件的性能有重要影响。 针对此问题采用等离子体化学气相沉积技术,以高纯 NH3 、N2 和 SiH4 …
基于压电陶瓷驱动的六自由度空间光学拼接系统
摘 要：由于加工工艺的限制，大口径空间光学系统通常由多个子镜拼接而成。为了保证系统的成像质量，每个子镜都需要在毫米级范围内实现微米级精度的运动调节。提出了一种串并混联的、由压电陶瓷（PZT）驱动的六轴…
储能钠硫电池 β〞-Al2O3 陶瓷管静水压爆破试验分析
摘要: 为了确定钠硫电池关键部件 β〞-Al2O3 陶瓷管的极限强度，利用直尺、游标卡尺及壁厚仪测量了陶瓷管外形尺寸，通过静水压爆破试验得到了爆破极限压力，采用薄壁容器受压后应力近似公式和第一强度理论设计准则计算出陶瓷管的极限应力，并分析了影响极限应力的主要因素，这对陶瓷管的强度校核和优化设计具有很强的指导意义。关键词: 钠硫电池; 陶瓷管; 静水压; 爆破试验; 极限应力1 引 言在过去的 40…
多层高储能密度玻璃陶瓷电容器的串式内电极设计
摘要：研究了用于提高电容器储能密度的玻璃-陶瓷电介质材料和电容器内电极结构.经计算表明, 该玻璃体经 850℃退火结晶 3 h 得到的玻璃-陶瓷储能密度可达 17 J/cm³, 适合作为制备高储能电容器(HESDCs)所需的电介质材料. 为HESDCs设计了一种多层串式内电极结构, 且每一层电极实际上是经金膜和银浆料电极组合而成. 这种电极结构能够消除由浆料电极烧结中不可避免地引入残余孔隙缺陷的影…
硼化物陶瓷及其复合材料的性能应用研究
随着高新技术的迅速发展，人们对材料的性能提出了越来越高的要求。硼化物陶瓷作为现代的高技术材料之一，由于具有高熔点、高硬度、高抗氧化性和高耐磨性等性能而作为硬质工具材料、磨料、合金添加剂、耐磨耐蚀部件，…
压电陶瓷装置微位移的光学测量与控制技术
微位移装置是指在外力或者电场、磁场等作用下，直接或间接由微结构杠杆放大产生精密微量移动，实现精密定位的装置，例如采用压电陶瓷的逆压电效应、由电压控制产生微位移蠕动。以干涉仪中移相器为典型微位移装置代表…
