二氧化铈掺杂钛酸铋钠基陶瓷的高储能密度及温度稳定性
为制备可应用于脉冲电源电容器领域的高性能电介质陶瓷，本工作通过传统固相反应法制得致密且均匀的 NBT-ST 基无铅弛豫铁电陶瓷。其中 NBT-ST-1Ce 陶瓷的室温储能密度达到 1. 07 J / cm³，储能效率稳定在 80%以上。此外，该陶瓷的储能效率展现了良好的温度稳定性: 在 25 ～150 ℃范围内，储能效率稳定在 95%左右。因此，该介质材料在脉冲电源电容器领域具有一定的发展潜力。关…
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无铅非线性介电储能陶瓷: 现状与挑战
摘 要: 相对于聚合物等储能介质材料, 介电陶瓷具有温度稳定性好和循环寿命长的优点, 是制备脉冲功率储能电容器的优秀候选材料。但目前介电陶瓷的储能密度相对较低, 不能满足脉冲功率设备小型化的要求。因此…
Pb0.3CaxSr0.7-xTiO3 陶瓷的室温电卡效应
摘 要: 电卡效应是极性材料中极化强度和温度的相互作用, 具有电卡效应的铁电陶瓷材料在高效固态制冷领域有很好的应用前景。本研究以 Pb0.3CaxSr0.7–xTiO3 陶瓷为对象, 系统研究了在电场…
CaSnO3 掺杂 BST 基介电陶瓷介电性能的研究
摘 要 ：采用传统固相法制备了CaSnO3掺杂 (Ba0.71Sr0.29)TiO3(BST) 介电陶瓷。研究了CaSnO3掺杂量对BST电容器介电陶瓷介电性能、物相组成和微观结构的影响。结果表明：随…
Al2O3 粉体与真空电子陶瓷
摘 要 真空电子器件是电子工业器件中最重要的器件之一，其主要的部件之一是绝缘外壳。外壳的共同要求是真空气密性好、机械强度高、绝缘性能优良等。某些器件（例如真空开关管）还要求真空器件寿命保证 20 年之…
(Bi0.5Na0.5)0.935Ba0.065TiO3-xBiScO3 陶瓷储能及应变性能研究
摘要：本研究采用 BiScO3组分对固相烧结工艺制备的(1-x)(Bi0.5Na0.5)0.935Ba0.065TiO3-xBiScO3(BNBT-xBS)无铅陶瓷进行改性, 考察了 BiScO3掺杂…
储能介电玻璃陶瓷的制备及研究进展
介电玻璃陶瓷因具有玻璃的高耐电击穿性，以及介电材料的高介电常数，成为脉冲功率技术中最有潜力的储能材料候选之一。本文简要阐述了介电玻璃陶瓷的能量存储原理，重点介绍了其制备方法、当前研究关注的类别体系以及…
一种基于光刻打印技术的 5G 微波陶瓷介质 滤波器的研制
摘要：基于 CST2019 三维全波电磁场仿真软件和精确的陶瓷材料立体光刻成形技术，研制了一款可用于 5G 通信 的 0.9Al2O3-0.1TiO2微波介质陶瓷滤波器。该介质陶瓷中Al2O3和TiO…
基于透明陶瓷材料的激光研究进展
摘 要： 陶瓷激光器是一种以透明陶瓷材料作为增益介质的激光器。与单晶相比，透明陶瓷具有制备周期短、烧结温度低、容易制备成大尺寸、在激活离子高掺杂浓度下能保证良好的光学均匀性、可设计制备成各种复合结构等优势，近年在高功率、超短超强激光输出方面发展迅速，产生了一系列里程碑式的研究成果。本文回顾了陶瓷激光器的起源和发展历程，总结了透明陶瓷在高功率、超短超强脉冲激光输出和特殊波长激光输出等方面的最新进展，…
我国高纯度氧化铝电子陶瓷的技术进步
摘要：本文叙述了我国几十年来高纯度氧化铝电子陶瓷的技术进步，随着电子器件功率的增大和电力电子技术的快速发展，高纯度氧化铝电子陶瓷的各种性能都需要相应的提升。本文也介绍了一些典型的国内外这方面陶瓷的配方…
我国电子陶瓷技术发展的战略思考
摘要：电子陶瓷作为一类重要的战略新材料，是无源电子元件的核心材料，也是电子信息技术领域重要的技术前沿。随着电子信息技术日益走向集成化、智能化和微型化，无源电子元件日益成为电子元器件技术的发展瓶颈，电子…
多场耦合下 PLZT 陶瓷光致电场效应及其应用
摘 要: 针对现有数学模型对高能紫外光束照射下 PLZT 陶瓷光生电压实验变化规律无法进行合理解释的问题，基于多物理场耦合机制分析构建了 PLZT 陶瓷多场耦合下的光致电场数学模型，并对光致电场实验曲…