高电场下Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3厚膜陶瓷的介电与储能特性研究
摘要: 采用两步法制备了铌镁酸铅-钛酸铅((1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(简称PMN-PT)) (x=0.05, 0.06, 0.07)粉体, 再采用流延法及一系列烧结工艺…
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矿化剂对 α-氧化铝粉体结构与成分的影响研究
摘要: 以工业氧化铝为前驱体, 分别添加质量分数5%氟化铝+(0.5%~2%)硼酸, 5%硼酸+(0.2%~1.4%)氟化铝, 1%氟化铝+(1% ~ 4%)氯化铵组成的三类复合矿化剂, 利用烧结法制备出 α-氧化铝。通过激光粒度仪、X 射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)的分析方法, 研究了矿化剂的种类和添加量对 α-氧化铝粉体结构与成分的影响规律。实验结果表明: 矿化剂的优化组合有利于降低…
Nb掺杂(Na0.5Bi0.5 )0.93Ba0.07TiO3织构陶瓷电性能研究
摘要: 织构技术是改善压电陶瓷性能的方法之一。采用模板籽晶生长法制备了不同Nb含量的(Na0.5Bi0.5)0.93Ba0.07Ti1-xNbxO3(NBBT-xNb, x=0, 0.015, 0.0…
BaAl2-2xZn2xSi2O8 陶瓷结构与微波介电性能研究
摘要: 采用固相烧结法, 按化学计量比合成了 BaAl2-2xZn2xSi2O8(x=0, 0.25%, 0.5%, 0.75%, 1%, 1.5%)陶瓷。 研究了不同 Zn2+掺杂量对BaAl2Si…
反铁电储能陶瓷的研究进展
摘要: 介电电容器与电池等储能器件相比具有功率密度高、充放电速度快等优点, 在储能领域受到了广泛关注, 但其缺点是储能密度较低。反铁电体由于具有双电滞回线, 剩余极化强度接近于0的特征, 有望获得高储…
低温共烧 Mg2Al4Si5O18/MgO-B2O3-SiO2 玻璃陶瓷
摘要: 为满足器件高度集成化、小型化、高频化需求, 低介电常数且满足低温共烧(LTCC)技术应用的陶瓷基板材料具有重要研究价值。采用传统固相法制备 Mg2Al4Si5O18/MgO-B2O3-SiO2…
Al2O3包覆优化LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2正极材料性能研究
摘要: 通过原子层沉积工艺实现 LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2颗粒表面的 Al2O3包覆修饰, 有效抑制了高镍三元正极材料与电解液的界面副反应, 提升了其长循环稳定性。 针对较厚的 Al2O3包覆层可能阻碍锂离子传输动力学, 影响正极材料倍率性能的问题, 通过控制原子层沉积圈数, 在界面稳定性和界面传输动力学两者间达到了优化平衡。 实验结果表明, 4 圈原子层沉积的 Al2O3包覆LiNi…
W6+ 掺杂SrBi4Ti4O15-Bi4Ti3O12共生铋层状压电陶瓷的结构与电学性能
摘 要:采用固相法制备了SrBi8Ti7-xWxO27(SBT-BIT-xW6+ ,x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)共生铋层状压电陶瓷材料,系统研究了 W6+ 掺杂对陶…
第三代 SiC 纤维及其在核能领域的应用现状
摘 要: 第三代 SiC 纤维具有近化学计量比的元素组成和高结晶致密的特性, 与第一、第二代 SiC 纤维相比, 在耐高温、抗氧化、抗蠕变及抗辐射等性能上均有明显的提升, 因此在工程应用上尤其在核能领…
熔盐辅助合成 Dy3Si2C2 包裹 SiC 粉体及其陶瓷的烧结行为
摘 要: 碳化硅陶瓷因自身优良的物理化学性能而具有广泛的应用前景。碳化硅的化学键结合特性决定了其难以烧结成型, 因此如何制备高质量碳化硅陶瓷是领域内的难点之一。本研究以三元稀土碳化物 Dy3Si2C2作为新型SiC陶瓷的烧结助剂, 依据Dy-Si-C体系的高温相转变原位促进碳化硅的烧结致密化。采用放电等离子烧结技术, 利用金属Dy与SiC反应生成Dy3Si2C2, 对Dy3Si2C2包裹的SiC粉…
烧结助剂对氮化硅陶瓷热导率和力学性能的影响
摘 要：以氮化硅(α 相≥95%，平均粒径0.5μm)为原料，添加 MgO–Y2O3为复合烧结助剂，采用气压烧结技术制备了 β 相高导热氮化硅陶瓷。研究和讨论了烧结助剂含量和比例对氮化硅陶瓷致密化过程、热导率、力学性能和显微结构的影响。结果表明：当烧结助剂添加量为 5%MgO+4%Y2O3时，使用气压烧结在1890 ℃烧结2h，试样的热导率可达到 85.96 W·m–1K–1，抗弯强度达到873M…
