我国电子陶瓷技术发展的战略思考
摘要：电子陶瓷作为一类重要的战略新材料，是无源电子元件的核心材料，也是电子信息技术领域重要的技术前沿。随着电子信息技术日益走向集成化、智能化和微型化，无源电子元件日益成为电子元器件技术的发展瓶颈，电子陶瓷材料及其制备加工技术的战略地位日益凸显。我国电子陶瓷材料和元件领域已形成了很好的产业技术基础，但在高端材料和元器件方面的竞争力依然不足，一些关键材料技术、工艺技术及设备技术受制于人。研究认为：面对…
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多场耦合下 PLZT 陶瓷光致电场效应及其应用
摘 要: 针对现有数学模型对高能紫外光束照射下 PLZT 陶瓷光生电压实验变化规律无法进行合理解释的问题，基于多物理场耦合机制分析构建了 PLZT 陶瓷多场耦合下的光致电场数学模型，并对光致电场实验曲…
高速撞击压电陶瓷过程中储能电容对电输出特性的影响研究
摘 要: 为了揭示 PZT-5H 压电陶瓷电源复合结构在高速撞击载荷下电源外部电路中储能电容对输入电压、输入能量的影响规律，利用自行构建的一级轻气炮加载系统、电源外部电路及电输出测试系统，分别开展了长径比为 1 ∶ 1 的柱状弹丸在相近碰撞速度、不同储能电容容量条件下高速撞击单片和多片压电陶瓷复合结构实验。实验结果表明: 储能电容越大，压电陶瓷输出电压峰值越小、储能电容充电电压越小，存储能量值越小…
反铁电储能陶瓷的研究进展
摘要: 介电电容器与电池等储能器件相比具有功率密度高、充放电速度快等优点，在储能领域受到了广泛关注，但其缺点是储能密度较低。反铁电体由于具有双电滞回线，剩余极化强度接近于 0 的特征，有望获得高储能密…
无铅非线性介电储能陶瓷: 现状与挑战
摘 要: 相对于聚合物等储能介质材料, 介电陶瓷具有温度稳定性好和循环寿命长的优点, 是制备脉冲功率储能电容器的优秀候选材料。但目前介电陶瓷的储能密度相对较低, 不能满足脉冲功率设备小型化的要求。因此…
退火和湿氢中的二次烧结对氧化铝陶瓷介电击穿强度的影响
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关于我国电子陶瓷技术发展的战略思考
电子陶瓷作为一类重要的战略新材料，是无源电子元件的核心材料，也是电子信息技术领域重要的技术前沿。随着电子信息技术日益走向集成化、智能化和微型化，无源电子元件日益成为电子元器件技术的发展瓶颈，电子陶瓷材…
高电场下Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3厚膜陶瓷的介电与储能特性研究
摘要: 采用两步法制备了铌镁酸铅-钛酸铅((1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(简称PMN-PT)) (x=0.05, 0.06, 0.07)粉体, 再采用流延法及一系列烧结工艺…
矿化剂对 α-氧化铝粉体结构与成分的影响研究
摘要: 以工业氧化铝为前驱体, 分别添加质量分数5%氟化铝+(0.5%~2%)硼酸, 5%硼酸+(0.2%~1.4%)氟化铝, 1%氟化铝+(1% ~ 4%)氯化铵组成的三类复合矿化剂, 利用烧结法制…
Nb掺杂(Na0.5Bi0.5 )0.93Ba0.07TiO3织构陶瓷电性能研究
摘要: 织构技术是改善压电陶瓷性能的方法之一。采用模板籽晶生长法制备了不同Nb含量的(Na0.5Bi0.5)0.93Ba0.07Ti1-xNbxO3(NBBT-xNb, x=0, 0.015, 0.0…
BaAl2-2xZn2xSi2O8 陶瓷结构与微波介电性能研究
摘要: 采用固相烧结法, 按化学计量比合成了 BaAl2-2xZn2xSi2O8(x=0, 0.25%, 0.5%, 0.75%, 1%, 1.5%)陶瓷。 研究了不同 Zn2+掺杂量对BaAl2Si…
反铁电储能陶瓷的研究进展
摘要: 介电电容器与电池等储能器件相比具有功率密度高、充放电速度快等优点, 在储能领域受到了广泛关注, 但其缺点是储能密度较低。反铁电体由于具有双电滞回线, 剩余极化强度接近于0的特征, 有望获得高储…
