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反铁电储能陶瓷的研究进展

摘要: 介电电容器与电池等储能器件相比具有功率密度高、充放电速度快等优点, 在储能领域受到了广泛关注, 但其缺点是储能密度较低。反铁电体由于具有双电滞回线, 剩余极化强度接近于0的特征, 有望获得高储…

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#反铁电陶瓷

低温共烧 Mg2Al4Si5O18/MgO-B2O3-SiO2 玻璃陶瓷

摘要: 为满足器件高度集成化、小型化、高频化需求, 低介电常数且满足低温共烧(LTCC)技术应用的陶瓷基板材料具有重要研究价值。采用传统固相法制备 Mg2Al4Si5O18/MgO-B2O3-SiO2…

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Al2O3包覆优化LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2正极材料性能研究

摘要: 通过原子层沉积工艺实现 LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2颗粒表面的 Al2O3包覆修饰, 有效抑制了高镍三元正极材料与电解液的界面副反应, 提升了其长循环稳定性。针对较厚的 Al2O3…

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W6+ 掺杂SrBi4Ti4O15-Bi4Ti3O12共生铋层状压电陶瓷的结构与电学性能

摘要:采用固相法制备了SrBi8Ti7-xWxO27(SBT-BIT-xW6+ ,x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)共生铋层状压电陶瓷材料,系统研究了 W6+ 掺杂对陶…

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第三代 SiC 纤维及其在核能领域的应用现状

摘要: 第三代 SiC 纤维具有近化学计量比的元素组成和高结晶致密的特性, 与第一、第二代 SiC 纤维相比, 在耐高温、抗氧化、抗蠕变及抗辐射等性能上均有明显的提升, 因此在工程应用上尤其在核能领…

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三元陶瓷 Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 准同型相界附近组分的介电、铁电和压电性能

摘要: 铅基复合钙钛矿铁电材料广泛应用于机电传感器、致动器和换能器。二元铁电固溶体 Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PNN-PT)由于其在准同型相界(MPB)区域具有优异的压电、介电性能而备受关注。然而较大的介电损耗和较低的居里温度限制了其在高温高功率器件方面的应用。本研究通过引入 Pb(In1/2Nb1/2)O3 (PIN)作为第三组元改善PNN-PT 的电学性能, 提高其居里…

1970-01-01

熔盐辅助合成 Dy3Si2C2 包裹 SiC 粉体及其陶瓷的烧结行为

摘要: 碳化硅陶瓷因自身优良的物理化学性能而具有广泛的应用前景。碳化硅的化学键结合特性决定了其难以烧结成型, 因此如何制备高质量碳化硅陶瓷是领域内的难点之一。本研究以三元稀土碳化物 Dy3Si2C2…

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烧结助剂对氮化硅陶瓷热导率和力学性能的影响

摘要：以氮化硅(α 相≥95%，平均粒径0.5μm)为原料，添加 MgO–Y2O3为复合烧结助剂，采用气压烧结技术制备了 β 相高导热氮化硅陶瓷。研究和讨论了烧结助剂含量和比例对氮化硅陶瓷致密化过程…

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Ti4+掺杂M型六角铁氧体 BaFe12-xTixO19陶瓷的磁学和介电特性

摘要: 六角铁氧体由于其具备高温下的低场磁电耦合特性, 有望应用于新型多态存储器及磁电传感器等微电子器件。利用Ti4+离子对M型六角铁氧体 BaFe12O19 进行B位掺杂, 不仅可以调控材料的磁结构和磁学特性, 同时, Ti离子在六角铁氧体B位的不等价掺杂还可以产生相关缺陷、载流子和变价Fe离子进而改变其电学特性。本研究采用固相烧结法制备了M型六角铁氧体BaFe12–xTixO19 (x=0,…

1970-01-01